PMV31XN,215
PMV31XN,215
Osa numero:
PMV31XN,215
Valmistaja:
NXP Semiconductors / Freescale
Kuvaus:
MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT-23
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13921 Pieces
Tietolomake:
PMV31XN,215.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä PMV31XN,215, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma PMV31XN,215 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa PMV31XN,215 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:1.5V @ 1mA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-236AB (SOT23)
Sarja:TrenchMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:37 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Tehonkulutus (Max):280mW (Tj)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Muut nimet:568-2354-2
934057678215
PMV31XN T/R
PMV31XN T/R-ND
PPMV31XN215
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:PMV31XN,215
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:410pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:5.8nC @ 4.5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 20V 5.9A (Tc) 280mW (Tj) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Valua lähde jännite (Vdss):20V
Kuvaus:MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT-23
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:5.9A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit