Ostaa PQMD16Z BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 50V |
---|---|
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 150mV @ 500µA, 10mA |
transistori tyyppi: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Toimittaja Device Package: | DFN1010B-6 |
Sarja: | Automotive, AEC-Q101 |
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia): | 47k |
Vastus - Base (R1) (ohmia): | 22k |
Virta - Max: | 350mW |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | 6-XFDFN Exposed Pad |
Muut nimet: | 1727-2711-2 568-13232-2 568-13232-2-ND 934069749147 PQMD16Z-ND |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 6 Weeks |
Valmistajan osanumero: | PQMD16Z |
Taajuus - Siirtyminen: | 230MHz, 180MHz |
Laajennettu kuvaus: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz, 180MHz 350mW Surface Mount DFN1010B-6 |
Kuvaus: | TRANS NPN/PNP RET 6DFN |
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 80 @ 5mA, 5V |
Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 1µA |
Nykyinen - Collector (le) (Max): | 100mA |
Email: | [email protected] |