Ostaa PSMN016-100BS,118 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | D2PAK |
Sarja: | - |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 16 mOhm @ 15A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 148W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Muut nimet: | 1727-7208-2 568-9699-2 568-9699-2-ND 934066209118 PSMN016-100BS,118-ND PSMN016100BS118 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 20 Weeks |
Valmistajan osanumero: | PSMN016-100BS,118 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2404pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 49nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 100V 57A (Tj) 148W (Tc) Surface Mount D2PAK |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 100V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 57A (Tj) |
Email: | [email protected] |