Ostaa PSMN3R0-60ES,127 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | I2PAK |
Sarja: | - |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 3 mOhm @ 25A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 306W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Muut nimet: | 1727-5437 568-6906-5 568-6906-5-ND 934064562127 PSMN3R060ES127 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 16 Weeks |
Valmistajan osanumero: | PSMN3R0-60ES,127 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 8079pF @ 30V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 130nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 60V 100A (Tc) 306W (Tc) Through Hole I2PAK |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 60V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
Email: | [email protected] |