PSMN5R6-100BS,118
PSMN5R6-100BS,118
Osa numero:
PSMN5R6-100BS,118
Valmistaja:
Nexperia
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15742 Pieces
Tietolomake:
PSMN5R6-100BS,118.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä PSMN5R6-100BS,118, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma PSMN5R6-100BS,118 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa PSMN5R6-100BS,118 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:D2PAK
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:5.6 mOhm @ 25A, 10V
Tehonkulutus (Max):306W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Muut nimet:1727-7125-2
568-9495-2
568-9495-2-ND
934066336118
PSMN5R6100BS118
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:20 Weeks
Valmistajan osanumero:PSMN5R6-100BS,118
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:8061pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:141nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 100V 100A (Tc) 306W (Tc) Surface Mount D2PAK
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Kuvaus:MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:sales@bychips.com

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit
Loading...