PSMN8R5-100ESQ
PSMN8R5-100ESQ
Osa numero:
PSMN8R5-100ESQ
Valmistaja:
Nexperia
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 100A I2PAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijy vapaa vapautuksella / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15571 Pieces
Tietolomake:
PSMN8R5-100ESQ.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä PSMN8R5-100ESQ, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma PSMN8R5-100ESQ sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa PSMN8R5-100ESQ BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:I2PAK
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:8.5 mOhm @ 25A, 10V
Tehonkulutus (Max):263W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Muut nimet:1727-1054
568-10161-5
568-10161-5-ND
934067378127
PSMN8R5100ESQ
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:16 Weeks
Valmistajan osanumero:PSMN8R5-100ESQ
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:5512pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:111nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 100V 100A (Tj) 263W (Tc) Through Hole I2PAK
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Kuvaus:MOSFET N-CH 100V 100A I2PAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:100A (Tj)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit