Ostaa PTFA092201E V1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
PTFA092201E V1
- Osa numero:
- PTFA092201E V1
- Kuvaus:
- FET RF 65V 960MHZ H-36260-2
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 12203 Pieces
- Tietolomake:
- PTFA092201E V1.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä PTFA092201E V1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma PTFA092201E V1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Testi: | 30V |
|---|---|
| Jännite - Rated: | 65V |
| transistori tyyppi: | LDMOS |
| Toimittaja Device Package: | H-36260-2 |
| Sarja: | - |
| Virta - Output: | 220W |
| Pakkaus: | Tray |
| Pakkaus / Case: | 2-Flatpack, Fin Leads |
| Muut nimet: | SP000235920 |
| Noise Kuva: | - |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Valmistajan osanumero: | PTFA092201E V1 |
| Saada: | 18.5dB |
| Taajuus: | 960MHz |
| Laajennettu kuvaus: | RF Mosfet LDMOS 30V 1.85A 960MHz 18.5dB 220W H-36260-2 |
| Kuvaus: | FET RF 65V 960MHZ H-36260-2 |
| Nykyinen arvostelu: | 10µA |
| Nykyinen - Testi: | 1.85A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat PTFA092201E V1
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
PTFA092211FLV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS | tiedustelu |
|
PTFA092201F V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 | tiedustelu |
|
PTFA092201FV4XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 | tiedustelu |
 |
PTFA092201EV4R0XTMA1 | Infineon Technologies | RF MOSFET LDMOS 30V H-36260-2 | tiedustelu |
|
PTFA092211FLV4XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS | tiedustelu |
 |
PTFA092211ELV4XWSA1 | Infineon Technologies | FET RF LDMOS 220W H33288-2 | tiedustelu |
|
PTFA092201EV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | FET RF 65V 960MHZ H-36260-2 | tiedustelu |
|
PTFA092201FV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 | tiedustelu |
|
PTFA092213ELV4R250XTMA2 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS H-33288-6 | tiedustelu |
|
PTFA092213ELV4T400XWSA1 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS H-33288-6 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog