Ostaa PTFB211501EV1R250XTMA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
PTFB211501EV1R250XTMA1
- Osa numero:
- PTFB211501EV1R250XTMA1
- Kuvaus:
- FET RF LDMOS 150W H36248-2
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 15722 Pieces
- Tietolomake:
- PTFB211501EV1R250XTMA1.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä PTFB211501EV1R250XTMA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma PTFB211501EV1R250XTMA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Testi: | 30V |
|---|---|
| Jännite - Rated: | 65V |
| transistori tyyppi: | LDMOS |
| Toimittaja Device Package: | H-36248-2 |
| Sarja: | - |
| Virta - Output: | 40W |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 2-Flatpack, Fin Leads |
| Muut nimet: | PTFB211501E V1 R250 PTFB211501E V1 R250-ND SP000707930 |
| Noise Kuva: | - |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 12 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | PTFB211501EV1R250XTMA1 |
| Saada: | 18dB |
| Taajuus: | 2.17GHz |
| Laajennettu kuvaus: | RF Mosfet LDMOS 30V 1.2A 2.17GHz 18dB 40W H-36248-2 |
| Kuvaus: | FET RF LDMOS 150W H36248-2 |
| Nykyinen arvostelu: | - |
| Nykyinen - Testi: | 1.2A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat PTFB211501EV1R250XTMA1
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
PTFB211501FV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | FET RF 65V 2.17GHZ H37248-2 | tiedustelu |
 |
PTFB211501EV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-36248-2 | tiedustelu |
|
PTFB211503FLV2R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-34288-4 | tiedustelu |
|
PTFB211501FV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-37248-2 | tiedustelu |
|
PTFB211503ELV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-33288-6 | tiedustelu |
|
PTFB211503ELV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | tiedustelu |
|
PTFB211503FLV2R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog