Ostaa QS8K13TCR BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
QS8K13TCR
- Osa numero:
- QS8K13TCR
- Valmistaja:
- LAPIS Semiconductor
- Kuvaus:
- MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18378 Pieces
- Tietolomake:
- QS8K13TCR.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä QS8K13TCR, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma QS8K13TCR sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | TSMT8 |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 28 mOhm @ 6A, 10V |
| Virta - Max: | 550mW |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 8-SMD, Flat Lead |
| Muut nimet: | QS8K13TCRTR |
| Käyttölämpötila: | 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 10 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | QS8K13TCR |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 390pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 10V |
| FET tyyppi: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Ominaisuus: | Standard |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 550mW Surface Mount TSMT8 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Kuvaus: | MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 6A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat QS8K13TCR
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
SI6954ADQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP | tiedustelu |
 |
QS8K11TCR | Rohm Semiconductor | 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET | tiedustelu |
 |
BSO211PNTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC | tiedustelu |
 |
ALD212914PAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP | tiedustelu |
 |
IPG20N06S2L65AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | tiedustelu |
 |
FDMD8560L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 46V 22A POWER | tiedustelu |
 |
APTC90DSK12T1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 | tiedustelu |
|
APTML1002U60R020T3AG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 20A SP3 | tiedustelu |
 |
SH8K32TB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 4.5A SOP8 | tiedustelu |
|
SI4818DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC | tiedustelu |
|
IRF7905TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SOIC | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog