R6007ENX
R6007ENX
Osa numero:
R6007ENX
Valmistaja:
LAPIS Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 7A TO220
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12748 Pieces
Tietolomake:
R6007ENX.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä R6007ENX, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma R6007ENX sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa R6007ENX BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-220FM
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:620 mOhm @ 2.4A, 10V
Tehonkulutus (Max):40W (Tc)
Pakkaus:Bulk
Pakkaus / Case:TO-220-3 Full Pack
Muut nimet:R6007ENXCT
R6007ENXCT-ND
Käyttölämpötila:150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:17 Weeks
Valmistajan osanumero:R6007ENX
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:390pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 600V 7A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):600V
Kuvaus:MOSFET N-CH 600V 7A TO220
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:7A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit