R6011KNJTL
Osa numero:
R6011KNJTL
Valmistaja:
LAPIS Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19966 Pieces
Tietolomake:
R6011KNJTL.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä R6011KNJTL, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma R6011KNJTL sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa R6011KNJTL BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-263
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:390 mOhm @ 3.8A, 10V
Tehonkulutus (Max):124W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Muut nimet:R6011KNJTLTR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:17 Weeks
Valmistajan osanumero:R6011KNJTL
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:740pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:Schottky Diode (Isolated)
Laajennettu kuvaus:N-Channel 600V 11A (Tc) 124W (Tc) Surface Mount TO-263
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):600V
Kuvaus:MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit