Ostaa R6035ENZC8 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-3PF |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 102 mOhm @ 18.1A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 120W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-3P-3 Full Pack |
| Käyttölämpötila: | 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 17 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | R6035ENZC8 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2720pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 110nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 600V 35A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 600V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 35A (Tc) |
| Email: | [email protected] |