Ostaa RCD041N25TL BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 5.5V @ 1mA |
---|---|
Vgs (Max): | ±30V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | CPT3 |
Sarja: | - |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 1300 mOhm @ 2A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 850mW (Ta), 20W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Muut nimet: | RCD041N25TLTR |
Käyttölämpötila: | 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 17 Weeks |
Valmistajan osanumero: | RCD041N25TL |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 350pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 8.5nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 250V 4A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) Surface Mount CPT3 |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 250V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 250V 4A CPT3 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
Email: | [email protected] |