RCD041N25TL
RCD041N25TL
Osa numero:
RCD041N25TL
Valmistaja:
LAPIS Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 250V 4A CPT3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16369 Pieces
Tietolomake:
RCD041N25TL.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä RCD041N25TL, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma RCD041N25TL sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa RCD041N25TL BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5.5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:CPT3
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:1300 mOhm @ 2A, 10V
Tehonkulutus (Max):850mW (Ta), 20W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet:RCD041N25TLTR
Käyttölämpötila:150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:17 Weeks
Valmistajan osanumero:RCD041N25TL
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:350pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:8.5nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 250V 4A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) Surface Mount CPT3
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):250V
Kuvaus:MOSFET N-CH 250V 4A CPT3
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit