RF08L6STE25
RF08L6STE25
Osa numero:
RF08L6STE25
Valmistaja:
LAPIS Semiconductor
Kuvaus:
DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16652 Pieces
Tietolomake:
RF08L6STE25.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä RF08L6STE25, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma RF08L6STE25 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa RF08L6STE25 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos:1.3V @ 800mA
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max):600V
Toimittaja Device Package:PMDS
Nopeus:Fast Recovery = 200mA (Io)
Sarja:-
Käänteinen Recovery Time (TRR):70ns
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:DO-214AC, SMA
Muut nimet:RF08L6STE25TR
Käyttölämpötila - liitäntä:150°C (Max)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:10 Weeks
Valmistajan osanumero:RF08L6STE25
Laajennettu kuvaus:Diode Standard 600V 800mA Surface Mount PMDS
diodi Tyyppi:Standard
Kuvaus:DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS
Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr:10µA @ 600V
Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io):800mA
Kapasitanssi @ Vr, F:-
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit