RFD16N06LESM9A
RFD16N06LESM9A
Osa numero:
RFD16N06LESM9A
Valmistaja:
Fairchild/ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 60V 16A DPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17702 Pieces
Tietolomake:
RFD16N06LESM9A.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä RFD16N06LESM9A, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma RFD16N06LESM9A sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa RFD16N06LESM9A BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):+10V, -8V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-252AA
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:47 mOhm @ 16A, 5V
Tehonkulutus (Max):90W (Tc)
Pakkaus:Original-Reel®
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet:RFD16N06LESM9ADKR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:6 Weeks
Valmistajan osanumero:RFD16N06LESM9A
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1350pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:62nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 60V 16A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):5V
Valua lähde jännite (Vdss):60V
Kuvaus:MOSFET N-CH 60V 16A DPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:16A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit