Ostaa RGTH50TS65GC11 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
RGTH50TS65GC11
- Osa numero:
- RGTH50TS65GC11
- Valmistaja:
- LAPIS Semiconductor
- Kuvaus:
- IGBT 650V 50A 174W TO-247N
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19570 Pieces
- Tietolomake:
- RGTH50TS65GC11.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä RGTH50TS65GC11, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma RGTH50TS65GC11 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 650V |
|---|---|
| Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: | 2.1V @ 15V, 25A |
| Testaa kunto: | 400V, 25A, 10 Ohm, 15V |
| Td (päällä / pois) @ 25 ° C: | 27ns/94ns |
| Switching Energy: | - |
| Toimittaja Device Package: | TO-247N |
| Sarja: | - |
| Virta - Max: | 174W |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-247-3 |
| Käyttölämpötila: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 15 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | RGTH50TS65GC11 |
| Syötetyyppi: | Standard |
| IGBT Tyyppi: | Trench Field Stop |
| Gate Charge: | 49nC |
| Laajennettu kuvaus: | IGBT Trench Field Stop 650V 50A 174W Through Hole TO-247N |
| Kuvaus: | IGBT 650V 50A 174W TO-247N |
| Nykyinen - Collector Pulssi (ICM): | 100A |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 50A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat RGTH50TS65GC11
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IXGP16N60B2D1 | IXYS | IGBT 600V 40A 150W TO220 | tiedustelu |
 |
SKW25N120FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 1200V 46A 313W TO247-3 | tiedustelu |
 |
RGTH50TS65DGC11 | Rohm Semiconductor | IGBT 650V 50A 174W TO-247N | tiedustelu |
 |
RJH1CF7RDPQ-80#T2 | Renesas Electronics America | IGBT 1200V 60A 250W TO247 | tiedustelu |
 |
GPA030A120MN-FD | Global Power Technologies Group | IGBT 1200V 60A 329W TO3PN | tiedustelu |
 |
AUIRGSL30B60K | Infineon Technologies | IGBT 600V 78A 370W TO262 | tiedustelu |
 |
STGW35NC120HD | STMicroelectronics | IGBT 1200V 60A 235W TO247 | tiedustelu |
 |
IRG4PH50S-EPBF | Infineon Technologies | IGBT 1200V 57A 200W TO247AD | tiedustelu |
 |
IRG4BC30KD-STRR | Infineon Technologies | IGBT 600V 28A 100W D2PAK | tiedustelu |
 |
IXBT42N170 | IXYS | IGBT 1700V 80A 360W TO268 | tiedustelu |
 |
STGW15M120DF3 | STMicroelectronics | IGBT 1200V 30A 259W | tiedustelu |
|
IRG4PC20U | Infineon Technologies | IGBT 600V 13A 60W TO247AC | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog