Ostaa RHRD660S9A_F085 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
RHRD660S9A_F085
- Osa numero:
- RHRD660S9A_F085
- Valmistaja:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Kuvaus:
- DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19066 Pieces
- Tietolomake:
- RHRD660S9A_F085.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä RHRD660S9A_F085, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma RHRD660S9A_F085 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos: | 2.1V @ 6A |
|---|---|
| Jännite - DC Reverse (Vr) (Max): | 600V |
| Toimittaja Device Package: | TO-252AA |
| Nopeus: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Sarja: | Automotive, AEC-Q101 |
| Käänteinen Recovery Time (TRR): | 35ns |
| Pakkaus: | Original-Reel® |
| Pakkaus / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Muut nimet: | RHRD660S9A_F085DKR |
| Käyttölämpötila - liitäntä: | -55°C ~ 175°C |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 6 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | RHRD660S9A_F085 |
| Laajennettu kuvaus: | Diode Standard 600V 6A Surface Mount TO-252AA |
| diodi Tyyppi: | Standard |
| Kuvaus: | DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3 |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr: | 100µA @ 600V |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io): | 6A |
| Kapasitanssi @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat RHRD660S9A_F085
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
EG01AV | Sanken | DIODE GEN PURP 600V 500MA AXIAL | tiedustelu |
 |
RHRD660S9A_NL | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK | tiedustelu |
 |
RRE02VSM4STR | Rohm Semiconductor | DIODE GP 400V 200MA TUMD2SM | tiedustelu |
|
RHRD660S9A | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3 | tiedustelu |
 |
S2D-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA | tiedustelu |
 |
ES1PA-E3/85A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO220AA | tiedustelu |
 |
S5K-E3/57T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 800V 5A DO214AB | tiedustelu |
 |
1SS394TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE SCHOTTKY 10V 100MA SC59 | tiedustelu |
 |
FES16CT | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 150V 16A TO220AC | tiedustelu |
 |
UF3003-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD | tiedustelu |
 |
EK 16V1 | Sanken | DIODE SCHOTTKY 60V 1.5A AXIAL | tiedustelu |
 |
MBRX130-TP | Micro Commercial Co | DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD123 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog