Ostaa RJH1CM5DPQ-E0#T2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
RJH1CM5DPQ-E0#T2
- Osa numero:
- RJH1CM5DPQ-E0#T2
- Valmistaja:
- Renesas Electronics America
- Kuvaus:
- IGBT 1200V 30A 245W TO247
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19656 Pieces
- Tietolomake:
- RJH1CM5DPQ-E0#T2.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä RJH1CM5DPQ-E0#T2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma RJH1CM5DPQ-E0#T2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 1200V |
|---|---|
| Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: | 2.7V @ 15V, 15A |
| Testaa kunto: | 600V, 15A, 5 Ohm, 15V |
| Td (päällä / pois) @ 25 ° C: | 40ns/100ns |
| Switching Energy: | 1.6mJ (on), 700µJ (off) |
| Toimittaja Device Package: | TO-247 |
| Sarja: | - |
| Käänteinen Recovery Time (TRR): | 200ns |
| Virta - Max: | 245W |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-247-3 |
| Käyttölämpötila: | 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 16 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | RJH1CM5DPQ-E0#T2 |
| Syötetyyppi: | Standard |
| IGBT Tyyppi: | - |
| Gate Charge: | 74nC |
| Laajennettu kuvaus: | IGBT 1200V 30A 245W Through Hole TO-247 |
| Kuvaus: | IGBT 1200V 30A 245W TO247 |
| Nykyinen - Collector Pulssi (ICM): | - |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 30A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat RJH1CM5DPQ-E0#T2
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
SKP04N60XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 9.4A 50W TO220-3 | tiedustelu |
 |
IRG4PC50FDPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 70A 200W TO247AC | tiedustelu |
 |
IXBX75N170 | IXYS | IGBT 1700V 200A 1040W PLUS247 | tiedustelu |
 |
IRG4BH20K-S | Infineon Technologies | IGBT 1200V 11A 60W D2PAK | tiedustelu |
 |
IXGA8N100 | IXYS | IGBT 1000V 16A 54W TO263 | tiedustelu |
 |
IRGIB4620DPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 32A 140W TO220 | tiedustelu |
|
IRGS4B60KD1TRRP | Infineon Technologies | IGBT 600V 11A 63W D2PAK | tiedustelu |
 |
STGY40NC60VD | STMicroelectronics | IGBT 600V 80A 260W MAX247 | tiedustelu |
|
IRGS4065PBF | Infineon Technologies | IGBT 300V 70A 178W D2PAK | tiedustelu |
 |
SGP15N60RUFTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 24A 160W TO220 | tiedustelu |
|
IXGA20N120B | IXYS | IGBT 1200V 40A 150W TO263 | tiedustelu |
 |
IXGP30N60B4D1 | IXYS | IGBT 600V 56A 190W TO220 | tiedustelu |
|
SGB15N120ATMA1 | Infineon Technologies | IGBT 1200V 30A 198W TO263-3 | tiedustelu |
 |
APT65GP60B2G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 100A 833W TMAX | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog