RJK6013DPE-00#J3
RJK6013DPE-00#J3
Osa numero:
RJK6013DPE-00#J3
Valmistaja:
Renesas Electronics America
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 11A LDPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15483 Pieces
Tietolomake:
RJK6013DPE-00#J3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä RJK6013DPE-00#J3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma RJK6013DPE-00#J3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa RJK6013DPE-00#J3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:-
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:4-LDPAK
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:700 mOhm @ 5.5A, 10V
Tehonkulutus (Max):100W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:SC-83
Käyttölämpötila:150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:16 Weeks
Valmistajan osanumero:RJK6013DPE-00#J3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1450pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:37.5nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 600V 11A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount 4-LDPAK
Valua lähde jännite (Vdss):600V
Kuvaus:MOSFET N-CH 600V 11A LDPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:11A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit