Ostaa RN1911FETE85LF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 50V |
---|---|
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
transistori tyyppi: | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Toimittaja Device Package: | ES6 |
Sarja: | - |
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia): | - |
Vastus - Base (R1) (ohmia): | 10k |
Virta - Max: | 100mW |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | SOT-563, SOT-666 |
Muut nimet: | RN1911FE(TE85L,F) RN1911FETE85LFTR |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 12 Weeks |
Valmistajan osanumero: | RN1911FETE85LF |
Taajuus - Siirtyminen: | 250MHz |
Laajennettu kuvaus: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6 |
Kuvaus: | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 120 @ 1mA, 5V |
Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
Nykyinen - Collector (le) (Max): | 100mA |
Email: | [email protected] |