Ostaa RN2510(TE85L,F) BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
RN2510(TE85L,F)
- Osa numero:
- RN2510(TE85L,F)
- Valmistaja:
- Toshiba Semiconductor
- Kuvaus:
- TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 14048 Pieces
- Tietolomake:
- RN2510(TE85L,F).pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä RN2510(TE85L,F), meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma RN2510(TE85L,F) sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 50V |
|---|---|
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
| transistori tyyppi: | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
| Toimittaja Device Package: | SMV |
| Sarja: | - |
| Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia): | - |
| Vastus - Base (R1) (ohmia): | 4.7k |
| Virta - Max: | 300mW |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | SC-74A, SOT-753 |
| Muut nimet: | RN2510 (TE85L,F) RN2510(TE85LF)TR |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | RN2510(TE85L,F) |
| Taajuus - Siirtyminen: | 200MHz |
| Laajennettu kuvaus: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SMV |
| Kuvaus: | TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 120 @ 1mA, 5V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat RN2510(TE85L,F)
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
EMD5T2R | Rohm Semiconductor | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 | tiedustelu |
 |
XN0121200L | Panasonic Electronic Components | TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W MINI5 | tiedustelu |
 |
DMG563H10R | Panasonic Electronic Components | TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5 | tiedustelu |
 |
RN2910(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 | tiedustelu |
 |
NP0G3D300A | Panasonic Electronic Components | TRANS PREBIAS NPN/PNP SSSMINI6 | tiedustelu |
 |
RN2511(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV | tiedustelu |
 |
DMA2610H0R | Panasonic Electronic Components | TRANS PREBIAS DUAL PNP MINI5 | tiedustelu |
 |
MUN5137DW1T1G | ON Semiconductor | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SC88 | tiedustelu |
 |
NSBA123TDP6T5G | ON Semiconductor | TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog