RN2601(TE85L,F)
RN2601(TE85L,F)
Osa numero:
RN2601(TE85L,F)
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor
Kuvaus:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15635 Pieces
Tietolomake:
RN2601(TE85L,F).pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä RN2601(TE85L,F), meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma RN2601(TE85L,F) sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa RN2601(TE85L,F) BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
transistori tyyppi:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Toimittaja Device Package:SM6
Sarja:-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):4.7k
Vastus - Base (R1) (ohmia):4.7k
Virta - Max:300mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:SC-74, SOT-457
Muut nimet:RN2601(TE85LF)TR
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:RN2601(TE85L,F)
Taajuus - Siirtyminen:200MHz
Laajennettu kuvaus:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
Kuvaus:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:30 @ 10mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Nykyinen - Collector (le) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit