Ostaa RN2911FE(TE85L,F) BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
RN2911FE(TE85L,F)
- Osa numero:
- RN2911FE(TE85L,F)
- Valmistaja:
- Toshiba Semiconductor
- Kuvaus:
- TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19307 Pieces
- Tietolomake:
- RN2911FE(TE85L,F).pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä RN2911FE(TE85L,F), meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma RN2911FE(TE85L,F) sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 50V |
|---|---|
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
| transistori tyyppi: | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Toimittaja Device Package: | ES6 |
| Sarja: | - |
| Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia): | - |
| Vastus - Base (R1) (ohmia): | 10k |
| Virta - Max: | 100mW |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | SOT-563, SOT-666 |
| Muut nimet: | RN2911FE(TE85LF)TR |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | RN2911FE(TE85L,F) |
| Taajuus - Siirtyminen: | 200MHz |
| Laajennettu kuvaus: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6 |
| Kuvaus: | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 120 @ 1mA, 5V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat RN2911FE(TE85L,F)
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
RN2911,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 | tiedustelu |
|
RN2961(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 | tiedustelu |
 |
PBLS6023D,115 | Nexperia USA Inc. | TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSOP | tiedustelu |
 |
BCR148SE6327BTSA1 | Infineon Technologies | TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 | tiedustelu |
|
RN2910(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 | tiedustelu |
 |
RN2910FE,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 | tiedustelu |
 |
XP0121200L | Panasonic Electronic Components | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SMINI5 | tiedustelu |
|
RN2911(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog