RN2911FE(TE85L,F)
RN2911FE(TE85L,F)
Osa numero:
RN2911FE(TE85L,F)
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor
Kuvaus:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19307 Pieces
Tietolomake:
RN2911FE(TE85L,F).pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä RN2911FE(TE85L,F), meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma RN2911FE(TE85L,F) sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa RN2911FE(TE85L,F) BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
transistori tyyppi:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Toimittaja Device Package:ES6
Sarja:-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):-
Vastus - Base (R1) (ohmia):10k
Virta - Max:100mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:SOT-563, SOT-666
Muut nimet:RN2911FE(TE85LF)TR
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:RN2911FE(TE85L,F)
Taajuus - Siirtyminen:200MHz
Laajennettu kuvaus:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Kuvaus:TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:120 @ 1mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Nykyinen - Collector (le) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit