Ostaa RN4906FE,LF(CB BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 50V |
---|---|
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
transistori tyyppi: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Toimittaja Device Package: | ES6 |
Sarja: | - |
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia): | 47k |
Vastus - Base (R1) (ohmia): | 4.7k |
Virta - Max: | 100mW |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | SOT-563, SOT-666 |
Muut nimet: | RN4906FE(TE85L,F) RN4906FE(TE85LF)TR RN4906FE(TE85LF)TR-ND RN4906FE,LF(CT RN4906FELF(CBTR RN4906FELF(CTTR RN4906FELF(CTTR-ND |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 16 Weeks |
Valmistajan osanumero: | RN4906FE,LF(CB |
Taajuus - Siirtyminen: | 200MHz |
Laajennettu kuvaus: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6 |
Kuvaus: | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 80 @ 10mA, 5V |
Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
Nykyinen - Collector (le) (Max): | 100mA |
Email: | [email protected] |