RN4987FE,LF(CB
RN4987FE,LF(CB
Osa numero:
RN4987FE,LF(CB
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor
Kuvaus:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18187 Pieces
Tietolomake:
RN4987FE,LF(CB.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä RN4987FE,LF(CB, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma RN4987FE,LF(CB sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa RN4987FE,LF(CB BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
transistori tyyppi:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Toimittaja Device Package:ES6
Sarja:-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):47k
Vastus - Base (R1) (ohmia):10k
Virta - Max:100mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:SOT-563, SOT-666
Muut nimet:RN4987FE(T5L,F,T)
RN4987FE(T5LFT)TR
RN4987FE(T5LFT)TR-ND
RN4987FE,LF(CT
RN4987FELF(CBTR
RN4987FELF(CTTR
RN4987FELF(CTTR-ND
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:16 Weeks
Valmistajan osanumero:RN4987FE,LF(CB
Taajuus - Siirtyminen:250MHz, 200MHz
Laajennettu kuvaus:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Kuvaus:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 10mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):500nA
Nykyinen - Collector (le) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit