RQ3E120ATTB
Osa numero:
RQ3E120ATTB
Valmistaja:
LAPIS Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15035 Pieces
Tietolomake:
RQ3E120ATTB.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä RQ3E120ATTB, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma RQ3E120ATTB sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa RQ3E120ATTB BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:8-HSMT (3.2x3)
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:8 mOhm @ 12A, 10V
Tehonkulutus (Max):2W (Ta)
Pakkaus:Original-Reel®
Pakkaus / Case:8-PowerVDFN
Muut nimet:RQ3E120ATTBDKR
Käyttölämpötila:150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:10 Weeks
Valmistajan osanumero:RQ3E120ATTB
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:3200pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:62nC @ 10V
FET tyyppi:P-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:P-Channel 30V 12A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:12A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit