RRH090P03TB1
RRH090P03TB1
Osa numero:
RRH090P03TB1
Valmistaja:
LAPIS Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17515 Pieces
Tietolomake:
RRH090P03TB1.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä RRH090P03TB1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma RRH090P03TB1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa RRH090P03TB1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:8-SOP
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:15.4 mOhm @ 9A, 10V
Tehonkulutus (Max):650mW (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Käyttölämpötila:150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:RRH090P03TB1
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:3000pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:30nC @ 5V
FET tyyppi:P-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:P-Channel 30V 9A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount 8-SOP
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:9A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit