RUM002N05T2L
RUM002N05T2L
Osa numero:
RUM002N05T2L
Valmistaja:
LAPIS Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 50V 0.2A 3VMT
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18853 Pieces
Tietolomake:
RUM002N05T2L.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä RUM002N05T2L, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma RUM002N05T2L sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa RUM002N05T2L BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 1mA
Vgs (Max):±8V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:VMT3
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Tehonkulutus (Max):150mW (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:SOT-723
Muut nimet:RUM002N05T2L-ND
RUM002N05T2LTR
Käyttölämpötila:150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:10 Weeks
Valmistajan osanumero:RUM002N05T2L
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:25pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:-
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 50V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VMT3
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):1.2V, 4.5V
Valua lähde jännite (Vdss):50V
Kuvaus:MOSFET N-CH 50V 0.2A 3VMT
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:200mA (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit