RZM001P02T2L
RZM001P02T2L
Osa numero:
RZM001P02T2L
Valmistaja:
LAPIS Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET P-CH 20V 0.1A VMT3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18168 Pieces
Tietolomake:
RZM001P02T2L.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä RZM001P02T2L, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma RZM001P02T2L sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa RZM001P02T2L BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 100µA
Vgs (Max):±10V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:VMT3
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:3.8 Ohm @ 100mA, 4.5V
Tehonkulutus (Max):150mW (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:SOT-723
Muut nimet:RZM001P02T2LTR
Käyttölämpötila:150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:10 Weeks
Valmistajan osanumero:RZM001P02T2L
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:15pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:-
FET tyyppi:P-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:P-Channel 20V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VMT3
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):1.2V, 4.5V
Valua lähde jännite (Vdss):20V
Kuvaus:MOSFET P-CH 20V 0.1A VMT3
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:100mA (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit