S3JHE3/9AT
S3JHE3/9AT
Osa numero:
S3JHE3/9AT
Valmistaja:
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Kuvaus:
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16017 Pieces
Tietolomake:
S3JHE3/9AT.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä S3JHE3/9AT, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma S3JHE3/9AT sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa S3JHE3/9AT BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos:1.15V @ 2.5A
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max):600V
Toimittaja Device Package:DO-214AB, (SMC)
Nopeus:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Sarja:-
Käänteinen Recovery Time (TRR):2.5µs
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:DO-214AB, SMC
Käyttölämpötila - liitäntä:-55°C ~ 150°C
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:S3JHE3/9AT
Laajennettu kuvaus:Diode Standard 600V 3A Surface Mount DO-214AB, (SMC)
diodi Tyyppi:Standard
Kuvaus:DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr:10µA @ 600V
Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io):3A
Kapasitanssi @ Vr, F:60pF @ 4V, 1MHz
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit