SA5230DR2G
Osa numero:
SA5230DR2G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
IC OPAMP GP 600KHZ RRO 8SOIC
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19636 Pieces
Tietolomake:
SA5230DR2G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SA5230DR2G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SA5230DR2G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SA5230DR2G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännitteen syöttö, Single / Dual (±):1.8 V ~ 15 V, ±0.9 V ~ 7.5 V
Jännite - Input Offset:400µV
Toimittaja Device Package:8-SOIC
Muutosnopeus:0.25 V/µs
Sarja:-
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
lähtö Tyyppi:Rail-to-Rail
Muut nimet:SA5230DR2G-ND
SA5230DR2GOSTR
Käyttölämpötila:-40°C ~ 85°C
Lukumäärä Circuits:1
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:4 Weeks
Valmistajan osanumero:SA5230DR2G
Gain Kaistanleveys Tuote:600kHz
Laajennettu kuvaus:General Purpose Amplifier 1 Circuit Rail-to-Rail 8-SOIC
Kuvaus:IC OPAMP GP 600KHZ RRO 8SOIC
Nykyinen - Supply:1.1mA
Nykyinen - Tuotos / kanava:32mA
Nykyinen - Input Bias:40nA
vahvistin Tyyppi:General Purpose
3dB kaistanleveys:-
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit