Ostaa SBR2A40P1Q-7 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
SBR2A40P1Q-7
- Osa numero:
- SBR2A40P1Q-7
- Valmistaja:
- Diodes Incorporated
- Kuvaus:
- DIODE SBR 40V 2A POWERDI123
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 12949 Pieces
- Tietolomake:
- SBR2A40P1Q-7.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä SBR2A40P1Q-7, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SBR2A40P1Q-7 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos: | 500mV @ 2A |
|---|---|
| Jännite - DC Reverse (Vr) (Max): | 40V |
| Toimittaja Device Package: | PowerDI™ 123 |
| Nopeus: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Sarja: | Automotive, AEC-Q101 |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | POWERDI®123 |
| Muut nimet: | SBR2A40P1Q-7DITR |
| Käyttölämpötila - liitäntä: | -65°C ~ 150°C |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 16 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | SBR2A40P1Q-7 |
| Laajennettu kuvaus: | Diode Super Barrier 40V 2A Surface Mount PowerDI™ 123 |
| diodi Tyyppi: | Super Barrier |
| Kuvaus: | DIODE SBR 40V 2A POWERDI123 |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr: | 100µA @ 40V |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io): | 2A |
| Kapasitanssi @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SBR2A40P1Q-7
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
SBR2A40BLP-13 | Diodes Incorporated | DIODE SBR 2A 40V V-DFN5060-4 | tiedustelu |
 |
SBR2A40P1-7 | Diodes Incorporated | DIODE SBR 40V 2A POWERDI123 | tiedustelu |
|
SBR2A30P1-7 | Diodes Incorporated | DIODE SBR 30V 2A POWERDI123 | tiedustelu |
 |
GP02-40-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 4KV 250MA DO204 | tiedustelu |
 |
ISOPAC0223 | Semtech Corporation | DIODE GEN PURP 500V 10A | tiedustelu |
 |
SBR2A40SA-13 | Diodes Incorporated | DIODE SBR 40V 2A SMA | tiedustelu |
 |
GL41K-E3/97 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB | tiedustelu |
 |
RD2006FR-H | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 20A TO220F | tiedustelu |
 |
MBR6045R | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY REV 45V DO5 | tiedustelu |
 |
1N6263W-7 | Diodes Incorporated | DIODE SCHOTTKY 60V 15MA SOD123 | tiedustelu |
 |
PMEG3010BEV,115 | Nexperia USA Inc. | DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOT666 | tiedustelu |
 |
SBR2A150SP5-13 | Diodes Incorporated | DIODE SBR 150V 2A PDI5 | tiedustelu |
 |
D6015L52 | Littelfuse Inc. | DIODE GEN PURP 600V 9.5A TO220 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog