SG2823J-883B
SG2823J-883B
Osa numero:
SG2823J-883B
Valmistaja:
Microsemi
Kuvaus:
TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12393 Pieces
Tietolomake:
SG2823J-883B.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SG2823J-883B, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SG2823J-883B sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SG2823J-883B BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):95V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:1.6V @ 500µA, 350mA
transistori tyyppi:8 NPN Darlington
Toimittaja Device Package:18-CDIP
Sarja:-
Virta - Max:-
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:-
Muut nimet:1259-1087
1259-1087-MIL
SG2823J883B
Käyttölämpötila:150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:SG2823J-883B
Taajuus - Siirtyminen:-
Laajennettu kuvaus:Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 95V 500mA Through Hole 18-CDIP
Kuvaus:TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:1000 @ 350mA, 2V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):-
Nykyinen - Collector (le) (Max):500mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit