Ostaa SI1072X-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | SC-89-6 |
Sarja: | TrenchFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 93 mOhm @ 1.3A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 236mW (Ta) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | SOT-563, SOT-666 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | SI1072X-T1-GE3 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 280pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 8.3nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 30V 236mW (Ta) Surface Mount SC-89-6 |
Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 30V SC89 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | - |
Email: | [email protected] |