Ostaa SI1406DH-T1-E3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.2V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | SC-70-6 (SOT-363) |
Sarja: | TrenchFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 65 mOhm @ 3.9A, 4.5V |
Tehonkulutus (Max): | 1W (Ta) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Muut nimet: | SI1406DH-T1-E3-ND SI1406DH-T1-E3TR SI1406DHT1E3 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | SI1406DH-T1-E3 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 7.5nC @ 4.5V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 20V 3.1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SC-70-6 (SOT-363) |
Valua lähde jännite (Vdss): | 20V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 20V 3.1A SC70-6 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 3.1A (Ta) |
Email: | [email protected] |