SI1471DH-T1-GE3
Osa numero:
SI1471DH-T1-GE3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17964 Pieces
Tietolomake:
SI1471DH-T1-GE3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SI1471DH-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SI1471DH-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SI1471DH-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:1.6V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:SC-70-6 (SOT-363)
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:100 mOhm @ 2A, 10V
Tehonkulutus (Max):1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Muut nimet:SI1471DH-T1-GE3TR
SI1471DHT1GE3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:24 Weeks
Valmistajan osanumero:SI1471DH-T1-GE3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:445pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:9.8nC @ 4.5V
FET tyyppi:P-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:P-Channel 30V 2.7A (Tc) 1.5W (Ta), 2.78W (Tc) Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:2.7A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit