Ostaa SI1471DH-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.6V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±12V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | SC-70-6 (SOT-363) |
Sarja: | TrenchFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 100 mOhm @ 2A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 1.5W (Ta), 2.78W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Muut nimet: | SI1471DH-T1-GE3TR SI1471DHT1GE3 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 24 Weeks |
Valmistajan osanumero: | SI1471DH-T1-GE3 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 445pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 9.8nC @ 4.5V |
FET tyyppi: | P-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | P-Channel 30V 2.7A (Tc) 1.5W (Ta), 2.78W (Tc) Surface Mount SC-70-6 (SOT-363) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
Kuvaus: | MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 2.7A (Tc) |
Email: | [email protected] |