SI2307CDS-T1-GE3
Osa numero:
SI2307CDS-T1-GE3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18545 Pieces
Tietolomake:
SI2307CDS-T1-GE3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SI2307CDS-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SI2307CDS-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SI2307CDS-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:SOT-23-3 (TO-236)
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:88 mOhm @ 3.5A, 10V
Tehonkulutus (Max):1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Muut nimet:SI2307CDS-T1-GE3TR
SI2307CDST1GE3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:17 Weeks
Valmistajan osanumero:SI2307CDS-T1-GE3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:340pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:6.2nC @ 4.5V
FET tyyppi:P-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:P-Channel 30V 3.5A (Tc) 1.1W (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:3.5A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit