Ostaa SI2312BDS-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 850mV @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±8V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | SOT-23-3 (TO-236) |
Sarja: | TrenchFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 31 mOhm @ 5A, 4.5V |
Tehonkulutus (Max): | 750mW (Ta) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Muut nimet: | SI2312BDS-T1-GE3TR SI2312BDST1GE3 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 14 Weeks |
Valmistajan osanumero: | SI2312BDS-T1-GE3 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 4.5V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 20V 3.9A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 20V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 3.9A (Ta) |
Email: | [email protected] |