Ostaa SI2341DS-T1-E3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | SOT-23-3 (TO-236) |
Sarja: | TrenchFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 72 mOhm @ 2.8A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 710mW (Ta) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | SI2341DS-T1-E3 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 400pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 15nC @ 10V |
FET tyyppi: | P-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | P-Channel 30V 2.5A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
Kuvaus: | MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 2.5A (Ta) |
Email: | [email protected] |