SI2351DS-T1-E3
Osa numero:
SI2351DS-T1-E3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16856 Pieces
Tietolomake:
SI2351DS-T1-E3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SI2351DS-T1-E3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SI2351DS-T1-E3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SI2351DS-T1-E3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:SOT-23-3 (TO-236)
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:115 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Tehonkulutus (Max):1W (Ta), 2.1W (Tc)
Pakkaus:Original-Reel®
Pakkaus / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Muut nimet:SI2351DS-T1-E3DKR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:SI2351DS-T1-E3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:250pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:5.1nC @ 5V
FET tyyppi:P-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:P-Channel 20V 2.8A (Tc) 1W (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Valua lähde jännite (Vdss):20V
Kuvaus:MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:2.8A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit