SI3434DV-T1-E3
SI3434DV-T1-E3
Osa numero:
SI3434DV-T1-E3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-TSOP
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15307 Pieces
Tietolomake:
SI3434DV-T1-E3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SI3434DV-T1-E3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SI3434DV-T1-E3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SI3434DV-T1-E3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:600mV @ 1mA (Min)
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:6-TSOP
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:34 mOhm @ 6.1A, 4.5V
Tehonkulutus (Max):1.14W (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Muut nimet:SI3434DV-T1-E3TR
SI3434DVT1E3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:SI3434DV-T1-E3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 4.5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 4.6A (Ta) 1.14W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-TSOP
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:4.6A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit