SI3442BDV-T1-GE3
SI3442BDV-T1-GE3
Osa numero:
SI3442BDV-T1-GE3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET N-CH 20V 3A 6-TSOP
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12392 Pieces
Tietolomake:
SI3442BDV-T1-GE3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SI3442BDV-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SI3442BDV-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SI3442BDV-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:1.8V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:6-TSOP
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:57 mOhm @ 4A, 4.5V
Tehonkulutus (Max):860mW (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:24 Weeks
Valmistajan osanumero:SI3442BDV-T1-GE3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:295pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:5nC @ 4.5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 20V 3A (Ta) 860mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Valua lähde jännite (Vdss):20V
Kuvaus:MOSFET N-CH 20V 3A 6-TSOP
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:3A (Ta)
Email:sales@bychips.com

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit
Loading...