SI3460BDV-T1-GE3
SI3460BDV-T1-GE3
Osa numero:
SI3460BDV-T1-GE3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14010 Pieces
Tietolomake:
SI3460BDV-T1-GE3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SI3460BDV-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SI3460BDV-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SI3460BDV-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:6-TSOP
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:27 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Tehonkulutus (Max):2W (Ta), 3.5W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:15 Weeks
Valmistajan osanumero:SI3460BDV-T1-GE3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:860pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:24nC @ 8V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 20V 8A (Tc) 2W (Ta), 3.5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Valua lähde jännite (Vdss):20V
Kuvaus:MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:8A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit