Ostaa SI3483CDV-T1-E3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | 6-TSOP |
Sarja: | TrenchFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 34 mOhm @ 6.1A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 2W (Ta), 4.2W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Muut nimet: | SI3483CDV-T1-E3-ND SI3483CDV-T1-E3TR |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TA) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 24 Weeks |
Valmistajan osanumero: | SI3483CDV-T1-E3 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1000pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 33nC @ 10V |
FET tyyppi: | P-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | P-Channel 30V 8A (Tc) 2W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
Kuvaus: | MOSFET P-CH 30V 8A 6-TSOP |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 8A (Tc) |
Email: | [email protected] |