Ostaa SI3850ADV-T1-E3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
SI3850ADV-T1-E3
- Osa numero:
- SI3850ADV-T1-E3
- Valmistaja:
- Vishay / Siliconix
- Kuvaus:
- MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6TSOP
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 17751 Pieces
- Tietolomake:
- SI3850ADV-T1-E3.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä SI3850ADV-T1-E3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SI3850ADV-T1-E3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | 6-TSOP |
| Sarja: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 300 mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Virta - Max: | 1.08W |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Muut nimet: | SI3850ADV-T1-E3TR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | SI3850ADV-T1-E3 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.4nC @ 4.5V |
| FET tyyppi: | N and P-Channel, Common Drain |
| FET Ominaisuus: | Logic Level Gate |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 20V 1.4A, 960mA 1.08W Surface Mount 6-TSOP |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 20V |
| Kuvaus: | MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6TSOP |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 1.4A, 960mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SI3850ADV-T1-E3
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
SI6967DQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 8V 8TSSOP | tiedustelu |
 |
SLA5061 | Sanken | MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A/6A 12SIP | tiedustelu |
 |
SI3850ADV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6-TSOP | tiedustelu |
 |
EFC6605R-V-TR | ON Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 10A 24V 6XFLGA | tiedustelu |
|
SI3851DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 1.6A 6-TSOP | tiedustelu |
|
SI3853DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-TSOP | tiedustelu |
|
SI3853DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-TSOP | tiedustelu |
 |
RJM0306JSP-01#J0 | Renesas Electronics America | MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.5A 8-SOP | tiedustelu |
 |
CSD83325L | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 12V 52A 6PICOSTAR | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog