SI3867DV-T1-E3
SI3867DV-T1-E3
Osa numero:
SI3867DV-T1-E3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16043 Pieces
Tietolomake:
SI3867DV-T1-E3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SI3867DV-T1-E3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SI3867DV-T1-E3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SI3867DV-T1-E3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:1.4V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:6-TSOP
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:51 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Tehonkulutus (Max):1.1W (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Muut nimet:SI3867DV-T1-E3TR
SI3867DVT1E3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:SI3867DV-T1-E3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 4.5V
FET tyyppi:P-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:P-Channel 20V 3.9A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Valua lähde jännite (Vdss):20V
Kuvaus:MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:3.9A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit