Ostaa SI3948DV-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
SI3948DV-T1-GE3
- Osa numero:
- SI3948DV-T1-GE3
- Valmistaja:
- Vishay / Siliconix
- Kuvaus:
- MOSFET 2N-CH 30V 6-TSOP
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 13694 Pieces
- Tietolomake:
- SI3948DV-T1-GE3.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä SI3948DV-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SI3948DV-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA (Min) |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | 6-TSOP |
| Sarja: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 105 mOhm @ 2.5A, 10V |
| Virta - Max: | 1.15W |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | SI3948DV-T1-GE3 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 3.2nC @ 5V |
| FET tyyppi: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Ominaisuus: | Logic Level Gate |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 1.15W Surface Mount 6-TSOP |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Kuvaus: | MOSFET 2N-CH 30V 6-TSOP |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SI3948DV-T1-GE3
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN2016LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN | tiedustelu |
 |
SI4834BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
DMC3035LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V 6.9A/5A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
SIA911DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 | tiedustelu |
 |
SI3948DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 6-TSOP | tiedustelu |
 |
SLA5201 | Sanken | MOSFET 3N/3P-CH 600V 7A 15-SIP | tiedustelu |
 |
APTC60TAM24TPG | Microsemi Corporation | MOSFET 6N-CH 600V 95A SP6-P | tiedustelu |
 |
APTC80H29SCTG | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 800V 15A SP4 | tiedustelu |
 |
SI5944DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAK | tiedustelu |
 |
US6M1TR | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6 | tiedustelu |
 |
ALD114904SAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC | tiedustelu |
 |
BUK7K18-40EX | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 40V 24.2A LFPAK | tiedustelu |
 |
AON7810 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DFN | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog