Ostaa SI3993DV-T1-E3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
SI3993DV-T1-E3
- Osa numero:
- SI3993DV-T1-E3
- Valmistaja:
- Vishay / Siliconix
- Kuvaus:
- MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 14037 Pieces
- Tietolomake:
- SI3993DV-T1-E3.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä SI3993DV-T1-E3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SI3993DV-T1-E3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | 6-TSOP |
| Sarja: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 133 mOhm @ 2.2A, 10V |
| Virta - Max: | 830mW |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Muut nimet: | SI3993DV-T1-E3TR SI3993DVT1E3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 12 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | SI3993DV-T1-E3 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 5nC @ 4.5V |
| FET tyyppi: | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Ominaisuus: | Logic Level Gate |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 1.8A 830mW Surface Mount 6-TSOP |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Kuvaus: | MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 1.8A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SI3993DV-T1-E3
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
SI3993DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP | tiedustelu |
 |
SIZF906DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET ARRAY 2N-CH 30V POWERPAIR | tiedustelu |
 |
AUIRF7342Q | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC | tiedustelu |
 |
ALD1108EPCL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 4N-CH 10V 16DIP | tiedustelu |
|
SI3993CDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6-TSOP | tiedustelu |
 |
SSM6L16FETE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6 | tiedustelu |
 |
ZXMN2AMCTA | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 2.9A DFN | tiedustelu |
 |
DMC2450UV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 20V SOT563 | tiedustelu |
|
IRF7380TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
DMC2038LVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 20V TSOT26 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog