Ostaa SI4501BDY-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
SI4501BDY-T1-GE3
- Osa numero:
- SI4501BDY-T1-GE3
- Valmistaja:
- Vishay / Siliconix
- Kuvaus:
- MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18147 Pieces
- Tietolomake:
- SI4501BDY-T1-GE3.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä SI4501BDY-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SI4501BDY-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | 8-SOIC |
| Sarja: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 17 mOhm @ 10A, 10V |
| Virta - Max: | 4.5W, 3.1W |
| Pakkaus: | Original-Reel® |
| Pakkaus / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Muut nimet: | SI4501BDY-T1-GE3DKR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 24 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | SI4501BDY-T1-GE3 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 805pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N and P-Channel, Common Drain |
| FET Ominaisuus: | Logic Level Gate |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 30V, 8V 12A, 8A 4.5W, 3.1W Surface Mount 8-SOIC |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V, 8V |
| Kuvaus: | MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 12A, 8A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SI4501BDY-T1-GE3
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
NDC7002N_SB9G007 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 50V 0.51A 6-SSOT | tiedustelu |
 |
FDMS3606AS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A PWR56 | tiedustelu |
 |
SI4501ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC | tiedustelu |
|
SI4500BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC | tiedustelu |
 |
DMC2700UDM-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 20V SOT26 | tiedustelu |
|
SI4505DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC | tiedustelu |
|
SI4500BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
CMLDM7002AG TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563 | tiedustelu |
|
SI4505DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC | tiedustelu |
 |
TT8K2TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 2.5A TSST8 | tiedustelu |
|
SI4501ADY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC | tiedustelu |
 |
DMN2022UNS-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2NCH 20V 10.7A POWERDI | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers