SI4686DY-T1-GE3
Osa numero:
SI4686DY-T1-GE3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17484 Pieces
Tietolomake:
SI4686DY-T1-GE3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SI4686DY-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SI4686DY-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SI4686DY-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:8-SO
Sarja:TrenchFET®, WFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:9.5 mOhm @ 13.8A, 10V
Tehonkulutus (Max):3W (Ta), 5.2W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Muut nimet:SI4686DY-T1-GE3TR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:24 Weeks
Valmistajan osanumero:SI4686DY-T1-GE3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1220pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:26nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 18.2A (Tc) 3W (Ta), 5.2W (Tc) Surface Mount 8-SO
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:18.2A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit